Ziel dieses Projekts ist die Entwicklung und Automatisierung neuartiger Laserschneidprozesse, die für die Bearbeitung komplexer CMOS-Wafer einschließlich strukturierter heterogener Materialien geeignet sind.
ALPHONSE
Partner Call offen bis: 30. Juni 2025
Projektstart: Q3 2025
Das Projektziel ist neuartige Ansätze für die Laserbearbeitung im Halbleiterbereich zu entwickeln. Zu den Schwerpunkten des Projekts gehört ein tieferes Verständnis und die Untersuchung der Bearbeitung heterogener Schichten, was die Entwicklung von Ad-hoc-Strategien erfordert. Die wichtigsten Herausforderungen sind:
- Kontrolle der Form des bearbeiteten Bereichs bei Vorhandensein von Materialien mit unterschiedlichen Absorptions- und thermischen Eigenschaften.
- Bearbeitung heterogener 3D-Materialien.
- Implementierung eines halbautomatisierten Prozesses zur Vereinfachung der Handhabung großer Probenmengen.
Erwartete Ergebnisse
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Verbesserung der Laserbearbeitungstechnologien
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Innovative Technologie für die hocheffiziente Bearbeitung heterogener 3D-Strukturen, insbesondere auf Basis von CMOS-Materialien
