Ziel ist, ein quantitatives Messsytem für Grenzflächendefekte zu entwickeln und zu testen. Es wird auf verschiedene Dünnschichtproben angewendet, um die Grenzflächen Defektdichte dieser Proben zu ermitteln und mit bestehenden Methoden zu vergleichen.
QUANTITATIVE ELECTRIC FIELD INDUCED SECOND HARMONICS
Partner Call offen bis: 31.03.2026
Projektstart: April 2026
Grenzflächendefekte sind in Halbleiterbauelementen allgegenwärtig und bestimmen maßgeblich die Zuverlässigkeit und Leistung. Während der Prozessentwicklung ist ein berührungsloses Verfahren zur Bewertung der Grenzflächenqualität äußerst attraktiv. Das elektrische Feld gefangener Ladungsträger bricht die Kristallsymmetrie und verbessert die optische Frequenzverdopplung an der Grenzfläche. Mit diesem Grundprinzip soll ein quantitatives, laserbasiertes Messsystem gebaut werden, sodass die Defektdichte an Halbleiter-Dielektrikum Grenzflächen kontakfrei zugänglich wird.
Erwartete Ergebnisse
- Labormesssystem
- Messungen der Defektdichte an ausgewählten Proben
